芯成半导体(上海)有限公司
企业简介

芯成半导体(上海)有限公司 main business:设计、委托加工超大规模集成电路半导体产品和应用系统及制作相关软件,销售自产产品,提供相关技术服务,以及为本公司及其投资者所拥有、控制或关联企业提供经营决策和管理咨询服务、财务管理服务、提供产品采购的质量控制和管理服务、信息服务及员工管理服务以及相关商务咨询服务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后... and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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芯成半导体(上海)有限公司的工商信息
  • 310115400071585
  • 913100006074199240
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(台港澳法人独资)
  • 2000-09-15
  • 韩光宇(KONG-YEU HAN)
  • 1791.25万美元
  • 2000-09-15 至 永久
  • 自贸区市场监督管理局
  • 中国(上海)自由贸易试验区锦绣东路2777弄25号全幢
  • 设计、委托加工超大规模集成电路半导体产品和应用系统及制作相关软件,销售自产产品,提供相关技术服务,以及为本公司及其投资者所拥有、控制或关联企业提供经营决策和管理咨询服务、财务管理服务、提供产品采购的质量控制和管理服务、信息服务及员工管理服务以及相关商务咨询服务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后...
芯成半导体(上海)有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106205715A 闪存的操作方法 2016.12.07 本发明涉及半导体器件,公开了一种闪存的操作方法。本申请中,在对闪存单元执行读取操作时,同一行的选择栅
2 CN104037174B 混合结构的存储器阵列及其制备方法 2016.09.07 本发明涉及半导体器件领域,公开了一种混合结构的存储器阵列及其制备方法。在本发明的混合结构的存储器阵列
3 CN103514954B 闪存的擦除方法、读取方法及编程方法 2016.08.17 本发明涉及半导体器件领域,公开了一种闪存的擦除方法、读取方法及编程方法。本发明中,该闪存在执行擦除操
4 CN102831927B 进入ASRAM芯片内部测试模式的电路 2015.04.01 本发明的进入ASRAM芯片内部测试模式的电路,包括地址代码比较器,用于检测ASRAM芯片中地址线上的
5 CN102820045B 地址转变检测电路 2015.03.11 本发明公开了一种地址转变检测电路,包括两个相同的地址转变检测信号产生装置、反相器和信号合成装置。两个
6 CN102831934B 进入ASRAM芯片内部测试模式的方法 2015.03.11 本发明公开了一种进入ASRAM芯片内部测试模式的方法,包括:步骤一,当ASRAM芯片的写周期使能脚输
7 CN104157307A 闪存及其读取方法 2014.11.19 本发明涉及半导体器件,公开了一种闪存及其读取方法。本发明中,该闪存中的每个闪存单元包含一个选择栅PM
8 CN104078082A 用于测试存储器件的电路和方法 2014.10.01 本申请涉及一种用于测试存储器件的电路和方法。存储器件具有可由多个地址线寻址并且可由多个数据线输入/输
9 CN104037174A 混合结构的存储器阵列及其制备方法 2014.09.10 本发明涉及半导体器件领域,公开了一种混合结构的存储器阵列及其制备方法。在本发明的混合结构的存储器阵列
10 CN103514954A 闪存的擦除方法、读取方法及编程方法 2014.01.15 本发明涉及半导体器件领域,公开了一种闪存的擦除方法、读取方法及编程方法。本发明中,该闪存在执行擦除操
11 CN102831927A 进入ASRAM芯片内部测试模式的电路 2012.12.19 本发明的进入ASRAM芯片内部测试模式的电路,包括地址代码比较器,用于检测ASRAM芯片中地址线上的
12 CN102831934A 进入ASRAM芯片内部测试模式的方法 2012.12.19 本发明公开了一种进入ASRAM芯片内部测试模式的方法,包括:步骤一,当ASRAM芯片的写周期使能脚输
13 CN102820045A 地址转变检测电路 2012.12.12 本发明公开了一种地址转变检测电路,包括两个相同的地址转变检测信号产生装置、反相器和信号合成装置。两个
14 CN1540666A 可动态配置的内容可寻址存储器系统 2004.10.27 一种可动态配置的内容可寻址存储器(CAM)系统,包括可链结起来形成CAM子系统的CAM模块。每个CA
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